講演情報

16:40 〜 17:00

[S8.8]Gibbs-Thomson溶媒を用いたSiC溶液成長時の成長速度の理論的検討

*樫村知之¹、吉川健¹、三浦均² (1. 東大、2. 名市大)

SiC、Gibbs-Thomson溶媒、エピタキシャル成長、数値計算

著者らは，SiC微粒子分散溶媒を利用したSiCの高速液相エピタキシャル成長法の検討を進めている。本研究では微粒子の溶解・成長過程と、合金溶媒中での成分の拡散過程の交互解析モデルにより成長機構を検討した．