[S4] S4.New Materials Science on Nanoscale Structures and Functions at Crystal Interface(2)

11:35 AM - 11:50 AM JST(2:35 AM - 2:50 AM UTC)

[S4.17] Development of a method for observing dislocation charges in GaN-based semiconductors

*Oyaizu Ayumu¹, Toyama Satoko¹, Seki Takehito^1,2, Kanitani Yuya³, Shibata Naoya^1,4 (1. The Univ. of Tokyo, 2. JST PRESTO, 3. Sony Semiconductor Solutions, 4. JFCC)

Keywords:

半導体,窒化ガリウム,DPC STEM

半導体中の格子欠陥，とりわけ転位はデバイス特性に影響を及ぼすことが知られている．そこで本研究ではナノスケールでの局所電荷観察手法tDPC STEMに基づき，GaN 系半導体中の転位周辺の電荷観察手法を検討した．