講演情報
[S4.17]GaN系半導体中の転位電荷観察手法の開発
*小柳津 歩夢1、遠山 慧子1、関 岳人1,2、蟹谷 裕也3、柴田 直哉1,4 (1. 東大工、2. JSTさきがけ、3. ソニーセミコンダクタソリューションズ、4. JFCC)
キーワード：
半導体、窒化ガリウム、DPC STEM
半導体中の格子欠陥，とりわけ転位はデバイス特性に影響を及ぼすことが知られている．そこで本研究ではナノスケールでの局所電荷観察手法tDPC STEMに基づき，GaN 系半導体中の転位周辺の電荷観察手法を検討した．
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