[P] P3~P10

[P10] Fabrication of Ge crystal thin films by co-sputtering of AuGe

*Masaru SUSA¹, Kentaro Kyuno^2,3 (1. Shibaura Institute of Technology(graduate student), 2. Shibaura Institute of Technology, 3. Center for Semiconductor Human Resource Development, Shibaura Institute of Technology)

Keywords:

半導体,材料,薄膜

低融点の基板上に半導体結晶薄膜を作製することで様々なデバイスの製造が可能となるため、近年、低温での結晶化プロセスが求められている。GeとAuを同時にスパッタリングすることによって低温で結晶薄膜が得られる。