[G] Joining for Electrical and Electronic Materials(1)

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[354] Location Dependence of Fatigue Crack Propagation Rate at the Si Die/Underfill Interface in Semiconductor Package Structures

○Akito Aizawa¹, Yoshiharu Kariya², Yuichi Yanaka³, Mitsuki Nakata³ (1. Graduate School of Shibaura Institute of Technology, 2. College of Engineering, Shibaura Institute of Technology, 3. Resonac Corporation)

Keywords:

Si die / Underfill interface,Semiconductor package,Stress intensity factor range,Fatigue crack growth rate,Paris law

半導体パッケージのSiダイ / UF界面において，側面と底面では異なるda/dNが測定され，その理由はSi表面の凹凸が影響すると推定されたが，da/dNを応力拡大係数範囲ΔKおよびそのモード成分ΔK_I，ΔK_IIを用いてプロットした結果，da/dNはΔK_Iで一義的に整理できることがわかった．