講演情報
[354]半導体パッケージ構造におけるSiダイ/ アンダーフィル界面の疲労き裂進展速度の評価箇所依存性
○相澤 爽斗1、苅谷 義治2、谷中 勇一3、中田 充紀3 (1. 芝浦工業大学（院生）、2. 芝浦工業大学、3. 株式会社レゾナック)
キーワード：
Siダイ / UF界面、半導体パッケージ、応力拡大係数範囲、疲労き裂進展速度、Paris則
半導体パッケージのSiダイ / UF界面において，側面と底面では異なるda/dNが測定され，その理由はSi表面の凹凸が影響すると推定されたが，da/dNを応力拡大係数範囲ΔKおよびそのモード成分ΔKI，ΔKIIを用いてプロットした結果，da/dNはΔKIで一義的に整理できることがわかった．
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