[P] P1~P8 Materials Physics

[P6] Electrical resistance change behavior of Zn-Te-base thinfilms during heating and cooling processes

○Kokoro Sawada¹, Yi Shuang^2,3, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,3 (1. Tohoku Univ. (Eng.), 2. Tohoku Univ. (FRIS), 3. Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:

Thin films,ZnTe,PCRAM

ストレージクラスメモリの一つである相変化メモリにおいて、アモルファス相を介さない相変化を利用することで低消費エネルギーが実現できる。そこで多形を示すZnTeに着目し、その電気抵抗変化挙動を調査した。