[P] P1~P8　物性

[P6] 昇温・降温過程におけるZn-Te系薄膜の電気抵抗変化挙動

○澤田 こころ¹、双 逸^2,3、安藤 大輔¹、須藤 祐司^1,3 (1. 東北大工、2. 東北大(FRIS)、3. 東北大(AIMR))

キーワード：

薄膜、ZnTe、PCRAM

ストレージクラスメモリの一つである相変化メモリにおいて、アモルファス相を介さない相変化を利用することで低消費エネルギーが実現できる。そこで多形を示すZnTeに着目し、その電気抵抗変化挙動を調査した。