[19p-A306-1~16] 2.1 Detection Devices

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[19p-A306-11] Evaluation of large area pixelated SSD for super heavy element experiments II

〇Fuyuki Tokanai¹, Kouji Morimoto², Daiya Kaji², Pierre Brionnet², Mirei Takeyama¹, Kazumasa Kosugi³ (1.Yamagata Univ., 2.RIKEN Nishina Center, 3.HPK)

Keywords:

Si Semiconductor detector,Dead layer,Energy resolution

原子番号119番の新元素探査実験が現在、理化学研究所の気体充填型反跳分離装置(GARIS-Ⅱ, Ⅲ)を用いて行われている。GARISの焦点面検出器は両面シリコンストリップ検出器とその側面を箱状に覆うように設置されたSi半導体検出器(SSD)群で構成されている。我々はニホニウムに続く新元素発見のために大型で不感領域のないピクセル型SSDを開発している。