Presentation Information
[19p-P01-75]Spontaneous photocurrent of MoS2/SnS hetero-interface with in-plane polarization
〇Koki Hirabayashi1, Keisuke Shinokita1, Kenji Watanabe2, Takashi Taniguchi2, Kazunari Matsuda1 (1.Institute of Advanced Energy, Kyoto University, 2.National Institute for Materials Science)
Keywords:
spontaneous photocurrent
異なる回転対称性を持つ二次元層状物質を特定の角度で積層することにより、ヘテロ構造界面に自発的な光起電力特性を示す。しかし、光起電力の起源とされるシフト電流について、その効率向上の指針を含め未だ未解明の部分が多い。
そこで本研究では、理論的に高い光起電力が予想されている二次元層状物質であるSnSを利用し、自発的光起電力特性が期待されるMoS2/SnSヘテロ構造から0Vにおいて有限の自発的な光電流を観測した。
そこで本研究では、理論的に高い光起電力が予想されている二次元層状物質であるSnSを利用し、自発的光起電力特性が期待されるMoS2/SnSヘテロ構造から0Vにおいて有限の自発的な光電流を観測した。