Presentation Information
[19p-P05-1]Evaluation of the semiconductor properties of molybdenum oxide thin films prepared by spin-coating method
〇Takuma Yoshida1, Yoji Saito2, Yasuyuki Kobayashi1, Ryosuke Watanabe1 (1.Hirosaki Univ., 2.Seikei Univ.)
Keywords:
Silicon Solar Cells,molybdenum oxide,Hetero-Junction Solar Cells
酸化モリブデン(MoO3-x)は仕事関数が 5 eV 程度と大きく、そのためシリコンとのヘテロ接合界 面でバンドが曲がり、光励起キャリアが電荷分離することで太陽電池として機能する。私たちは MoO3-x をスピンコート法によりシリコン基板上に成膜した MoO3-x/Si ヘテロ接合太陽電池を作製 している。これまでの研究では MoO3-x プリカーサ溶液スピンコート後の焼成温度、時間の最適化 を行った。その結果、250℃ 30 min 焼成試料で変換効率が最も高く 0.35%となり、200℃ 10 min、 また 300℃ 90 min 焼成試料の場合には変換効率が 0.1%以下と著しく低下することがわかった。本 研究では試料焼成条件に依存して変化する MoO3-x薄膜の半導体特性について FTIR 測定、XRD 測 定、導電率測定により評価した。