[19p-P05-1~7] 16.3 シリコン系太陽電池

[19p-P05-1] スピンコート MoO_3-x薄膜の半導体特性評価

〇吉田 拓真¹、斎藤 洋司²、小林 康之¹、渡邊 良祐¹ (1.弘前大院理工、2.成蹊大院理工)

キーワード：

シリコン系太陽電池,酸化モリブデン,ヘテロ接合太陽電池

酸化モリブデン(MoO3-x)は仕事関数が 5 eV 程度と大きく、そのためシリコンとのヘテロ接合界 面でバンドが曲がり、光励起キャリアが電荷分離することで太陽電池として機能する。私たちは MoO3-x をスピンコート法によりシリコン基板上に成膜した MoO3-x/Si ヘテロ接合太陽電池を作製 している。これまでの研究では MoO3-x プリカーサ溶液スピンコート後の焼成温度、時間の最適化 を行った。その結果、250℃ 30 min 焼成試料で変換効率が最も高く 0.35%となり、200℃ 10 min、 また 300℃ 90 min 焼成試料の場合には変換効率が 0.1%以下と著しく低下することがわかった。本 研究では試料焼成条件に依存して変化する MoO3-x薄膜の半導体特性について FTIR 測定、XRD 測 定、導電率測定により評価した。