[19p-P06-1~8] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

[19p-P06-3] Characteristics of a Physical Reservoir Using a Ag-doped Ta₂O₅ Thin Film

〇Taisuke Hayashi¹, Tatsuya Ito¹, Yuna Kanda¹, Risa Gobara¹, Tsuyoshi Hasegawa¹ (1.Wasead Univ)

Keywords:

reservoir computing,Ag-doped Ta2O5,short-term memory properties

最近、イオン分布が作る内部電場を利用した物理リザバーの開発が進められている。 我々の研究室でも、多結晶硫化銀薄膜内における銀イオンの移動を利用した物理リザバーの動作を実証してきた。本研究では、抵抗変化素子の材料として使われてきた Ag ドープ Ta2O5 薄膜を 用いて物理リザバーを作製し、その基本動作特性を評価した。