講演情報
[19p-P06-3]Ag ドープ Ta2O5薄膜を用いた物理リザバーの基本動作特性評価
〇林 泰甫1、伊藤 達也1、神田 侑奈1、郷原 李紗1、長谷川 剛1 (1.早大先進理工)
キーワード：
リザバーコンピューティング,Ag ドープ Ta2O5,短期記憶特性
最近、イオン分布が作る内部電場を利用した物理リザバーの開発が進められている。 我々の研究室でも、多結晶硫化銀薄膜内における銀イオンの移動を利用した物理リザバーの動作を実証してきた。本研究では、抵抗変化素子の材料として使われてきた Ag ドープ Ta2O5 薄膜を 用いて物理リザバーを作製し、その基本動作特性を評価した。