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9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[20a-A301-4]Plasma damage evaluation in a Minimal Fab

〇Masashi Kase¹, Shirou Hara^1,2,3 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.HUNDRED)

Keywords:

minimalfab,Plasma damage

ミニマルファブでMOS構造のプラズマダメージTEG作成後にプラズマ照射を施し後、I-V測定を行い電流値の測定を行った。プラズマ照射に用いた装置はマイクロプラズマ装置でアッシング条件で放電を行った。このマイクロプラズマ装置はノズルプラズマ採用しており、ウェハステージが回転しウェハ面内に均一良くプラズマ照射を施すようにしている。この回転幅を変更してゲート酸化膜の絶縁破壊電圧が変化するかを当日報告する。

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