[20a-B201-1~6] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20a-B201-2] Improvement of emission intensity distribution by growth pressure control in fluorescent 4H-SiC

〇(M1)Shota Akiyoshi¹, Taisei Mizuno¹, Kamiyama Satoshi¹, Iwaya Motoaki¹, Takeuchi Tetsuya¹, Yiyu Ou², Haiyan Ou² (1.Meijo Univ., 2.Technical Univ. of Denmark)

Keywords:

fluorescence SiC,SiC

4H-SiCにホウ素と窒素をドーピングした蛍光SiCでは格子欠陥が原因と考えられる成長面の中心部と外周部の偏った発光強度分布が確認されていた。本研究では、格子欠陥の発生を抑制するために成長温度の昇温中と温度保持中を高成長圧力にし、昇温中の低温時、または昇温直後の不安定な時間帯での成長を完全に抑制し、安定した適切な温度でのステップフロー成長による結晶性の改善を図った。