[20a-B202-1~10] CS.11 Code-sharing Session of 8.3 & 9.2

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[20a-B202-8] Self-Assembling Formation of Si-QDs on SiO₂ Line-Patterns

〇Ryoya Tsuji¹, Yuki Imai¹, Jongeun Baek¹, Katsunori Makihara¹, Seiichi Miyazaki¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:

Silicon Dots,Quantum Dots

SiH₄ のLPCVD で、LPCVD 直前に希釈HF 処理を施すことで、SiO₂ 上にSi 量子ドットを高密度・一括形成 (~10¹¹cm^-2)が可能であり、さらに、SiO₂ 表面のOH 終端を面内制御することで、Si 量子ドットが配列形成できること報告してきた。本研究では、OH 終端した極細SiO₂ ライン上におけるSi 量子ドットの成長過程を評価した結果、SiH₄-LPCVD による~50nm 幅ライン&スペース熱酸化Si 基板上へのSi 量子ドットの形成では、LPCVD 時間の増加に伴いライン幅方向の成長が顕在化することが分かった。