講演情報
[20a-B202-8]極細SiO2 ラインパターン上へのSi 量子ドットの自己組織化形成
〇辻 綾哉1、今井 友貴1、白 鍾銀1、牧原 克典1、宮﨑 誠一1 (1.名大院工)
キーワード：
Siドット,量子ドット
SiH4 のLPCVD で、LPCVD 直前に希釈HF 処理を施すことで、SiO2 上にSi 量子ドットを高密度・一括形成 (~1011cm-2)が可能であり、さらに、SiO2 表面のOH 終端を面内制御することで、Si 量子ドットが配列形成できること報告してきた。本研究では、OH 終端した極細SiO2 ライン上におけるSi 量子ドットの成長過程を評価した結果、SiH4-LPCVD による~50nm 幅ライン&スペース熱酸化Si 基板上へのSi 量子ドットの形成では、LPCVD 時間の増加に伴いライン幅方向の成長が顕在化することが分かった。