[20a-B205-1~9] 3.6 Laser processing (formerly 3.7)

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[20a-B205-3] Wavelength Dependence of LIPSS Formed by Near-Infrared Free Electron Laser Irradiation

〇Youta Hoshino¹, Yuya Miyano¹, Nobuyuki Iwata¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:

LIPSS,Free Electron Laser

近赤外自由電子レーザー照射によるLIPSS形成の波長依存性について研究を行いました。低抵抗N型Si基板に対し照射実験を行い波長1400 nmから3500 nmで実験を行いました。結果として高調波成分を除去することで波長3000 nmで直径約30 µmの円状構造が形成されさらに構造の外周部を拡大観察すると約600 nmの間隔でLIPSSが形成されていることが確認出来ました。また波長2500 nmと3500 nmでも同様にLIPSSの形成が確認されそれぞれの構造間隔は約590 nmと約740 nmでした。