[20a-B205-1~9] 3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

9:30 〜 9:45

[20a-B205-3] 近赤外自由電子レーザ照射により形成されたLIPSSの波長依存性

〇星野 陽太¹、宮野 祐弥¹、岩田 展幸¹ (1.日大理工)

キーワード：

LIPSS,自由電子レーザー

近赤外自由電子レーザー照射によるLIPSS形成の波長依存性について研究を行いました。低抵抗N型Si基板に対し照射実験を行い波長1400 nmから3500 nmで実験を行いました。結果として高調波成分を除去することで波長3000 nmで直径約30 µmの円状構造が形成されさらに構造の外周部を拡大観察すると約600 nmの間隔でLIPSSが形成されていることが確認出来ました。また波長2500 nmと3500 nmでも同様にLIPSSの形成が確認されそれぞれの構造間隔は約590 nmと約740 nmでした。