[20a-C401-1~12] 1.3 Novel technologies and interdisciplinary engineering

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[20a-C401-10] Process Investigation for Optical Waveguides of Silicon Nitride using Etching Mask of Al₂O₃

〇Syouhei Lin¹, Yuuki Tsuji¹, Taegyu Woo¹, Yudai Isahaya¹, Chishu Mori¹, Taro Itatani², Joji Maeda¹, Takeru Amano² (1.Tokyo Univ. of Science, 2.AIST)

Keywords:

Atomic Layer Deposition (ALD),Waveguide,Silicon Nitride

トランシーバーの小型化に貢献したシリコンフォトニクス技術では、SiN(Silicon Nitride)光導波路の検討が進んでいる。SiN光導波路は、Si光導波路と比較して寸法と２光子吸収損失の点で利点がある。しかし、SiNをSiO2マスクでドライエッチングする場合の選択比が数倍程度と低いことが課題であった。我々は、原子層堆積法(ALD: Atomic Layer Deposition)で成膜したAl₂O₃膜を用いてシリコンに対するエッチングの選択比20倍以上を報告した。今回、同様にCF₄を用いたSiNエッチングの検討を行った。