講演情報
[20a-C401-10]Al2O3をエッチングマスクとして用いたSiN光導波路プロセスの検討
〇林 翔平1、辻 祐樹1、禹 泰圭1、伊佐早 祐大1、森 智衆1、板谷 太郎2、前田 讓治1、天野 建2 (1.東理大 創域理工、2.産総研)
キーワード：
原子層堆積法(ALD),光導波路,SiN
トランシーバーの小型化に貢献したシリコンフォトニクス技術では、SiN(Silicon Nitride)光導波路の検討が進んでいる。SiN光導波路は、Si光導波路と比較して寸法と２光子吸収損失の点で利点がある。しかし、SiNをSiO2マスクでドライエッチングする場合の選択比が数倍程度と低いことが課題であった。我々は、原子層堆積法(ALD: Atomic Layer Deposition)で成膜したAl2O3膜を用いてシリコンに対するエッチングの選択比20倍以上を報告した。今回、同様にCF4を用いたSiNエッチングの検討を行った。