[20a-C401-1~12] 1.3 Novel technologies and interdisciplinary engineering

12:00 PM - 12:15 PM JST(3:00 AM - 3:15 AM UTC)

[20a-C401-11] Process Investigation for Optical Waveguide of GaAs using Etching Mask of Al₂O₃

〇Yudai Isahaya¹, Chishu Mori¹, Yuki Tsuji¹, Syohei Lin¹, Taegyu Woo¹, Taro Itatani², Takeyosi Sugaya², Joji Maeda¹, Takeru Amano² (1.Tokyo Univ. of Science, 2.AIST)

Keywords:

Atomic Layer Deposition,Optical waveguide,GaAs

データセンターの拡充と高度化が進み、光電変換機能を担う光トランシーバーを、光実装基板内に取り込むCPO(Co-Packaged Optics)と呼ばれる新世代の方式^[1]の検討が進んでいる。化合物半導体であるGaAsは高速信号処理が可能という観点から、携帯電話など高周波信号を扱う通信機器に多く使用されている^[2]。これまで我々は、ALD成膜のAl₂O₃をエッチングマスクとして用いたSiエッチングプロセスを進めてきた^[3]。今回我々は、ALD成膜したAl₂O₃エッチングマスクを用いたGaAs導波路エッチングプロセスの検討を行った。