講演情報
[20a-C401-11]Al2O3をエッチングマスクとして用いたGaAs光導波路プロセスの検討
〇伊佐早 祐大1、森 智衆1、辻 祐樹1、林 翔平1、禹 泰圭1、板谷 太郎2、菅谷 武芳2、前田 讓治1、天野 建2 (1.東理大 創域理工、2.産総研)
キーワード：
原子層堆積法,光導波路,GaAs
データセンターの拡充と高度化が進み、光電変換機能を担う光トランシーバーを、光実装基板内に取り込むCPO(Co-Packaged Optics)と呼ばれる新世代の方式[1]の検討が進んでいる。化合物半導体であるGaAsは高速信号処理が可能という観点から、携帯電話など高周波信号を扱う通信機器に多く使用されている[2]。これまで我々は、ALD成膜のAl2O3をエッチングマスクとして用いたSiエッチングプロセスを進めてきた[3]。今回我々は、ALD成膜したAl2O3エッチングマスクを用いたGaAs導波路エッチングプロセスの検討を行った。