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[20a-C601-8]Fabrication of In2S3 Thin Film Using Open-Air CVD and Its Application to CIGSe Solar Cells

〇Fumiya Furumaki1, Akihiro Funaki1, Takahito Nishimura1, Akira Yamada1 (1.Tokyo Tech)

Keywords:

CIGS solar cells,In2S3 buffer layer,Semiconductor

Cu(In,Ga)Se2(CIGSe)太陽電池において,n型CdSバッファ層は高効率化の観点で重要である.しかし,CdSは禁制帯幅が狭いことに起因する短波長光の損失,および環境負荷が高いCd元素の利用に対する懸念がある.今回、我々はCdS代替材料としてIn2S3に着目し,低コストオールドライプロセスを視野に入れた大気開放型CVD法による製膜の検討,およびCd-freeなCIGSe太陽電池の作製を実施したので報告する.