講演情報
[20a-C601-8]大気開放型CVD法を用いたIn2S3の作製およびCIGSe太陽電池への応用
〇古牧 郁弥1、船木 顕広1、西村 昂人1、山田 明1 (1.東京工業大学)
キーワード：
CIGS太陽電池,In2S3 バッファ層,半導体
Cu(In,Ga)Se2(CIGSe)太陽電池において，n型CdSバッファ層は高効率化の観点で重要である．しかし，CdSは禁制帯幅が狭いことに起因する短波長光の損失，および環境負荷が高いCd元素の利用に対する懸念がある．今回、我々はCdS代替材料としてIn2S3に着目し，低コストオールドライプロセスを視野に入れた大気開放型CVD法による製膜の検討，およびCd-freeなCIGSe太陽電池の作製を実施したので報告する．