[20a-D903-1~11] 12.2 Characterization and Materials Physics

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20a-D903-11] Measurement of Potential at the Interface of Organic Semiconductor Layers Using a Rotary Kelvin Probe and Validation of Simulations Based on a Thermal Equilibrium Model

〇Taiyo Inoue¹, Masahiro Ohara¹, Takeshi Okada⁴, Nobumichi Arai⁴, Hisao Ishii^1,2,3 (1.GSSE, Chiba Univ., 2.CFS, Chiba Univ., 3.MCRC, Chiba Univ., 4.Tosoh Co., Ltd.)

Keywords:

Rotary Kelvin Probe,Energy Level Alignment Simulation,Organic Hetero Interface

有機半導体素子の界面電位分布は重要である。実験では完成後の素子内部の実界面の電位の測定は不可能であるため、表面敏感なUPSや振動型Kelvin Probe(KP)によって成膜と電位測定を繰り返し得た疑似界面の電位分布よって実界面は推測されてきた。数値解析的手法では実界面と疑似界面の相違が指摘されているが、UPSや振動型KPのデータ点は少なくシミュレーションの精密な有用性の検証はなされていない。そこで本研究では我々独自の回転型KPを用い、成膜と同時に電位を測定しシミュレーションの有効性を検証した。