Presentation Information
[20a-P01-3]Characterization of highly oriented diamond thin films on Si in morphology-modulated growth.
〇Keita Kigawa1, Haruku Uehara1, Hideo Isshiki1 (1.The University of Electro-Communications)
Keywords:
Diamond,grain boundary
ダイヤモンドは耐圧性や熱伝導率などに優れ，次世代パワー半導体材料として注目されている．しかしCVDダイヤは多結晶であるため粒界やそれに伴う転位が多く残存する．特に<111>優先成長において隣接する正方形ファセット(100)が合体する結晶粒は稀であるため結晶粒界として残存することが報告されている．本研究では(100)接合時の粒界と転位の分散の双方を目的としてαパラメーター制御による形態変調を施し従来の条件との比較検討を行った．