講演情報
[20a-P01-3]Si上高配向ダイヤモンド薄膜の形態変調成長における特性評価
〇木川 啓太1、上原 陽空1、一色 秀夫1 (1.電通大基盤理工)
キーワード：
ダイヤモンド,結晶粒界
ダイヤモンドは耐圧性や熱伝導率などに優れ，次世代パワー半導体材料として注目されている．しかしCVDダイヤは多結晶であるため粒界やそれに伴う転位が多く残存する．特に<111>優先成長において隣接する正方形ファセット(100)が合体する結晶粒は稀であるため結晶粒界として残存することが報告されている．本研究では(100)接合時の粒界と転位の分散の双方を目的としてαパラメーター制御による形態変調を施し従来の条件との比較検討を行った．