[20a-P02-1~25] 6.3 Oxide electronics

[20a-P02-8] Growth of vanadium oxide thin films by reactive sputtering

〇Yuki Abe¹, Hideto Yanagihara¹ (1.Tsukuba Univ.)

Keywords:

vanadium oxide,thin films,sputtering

バナジウム酸化物(VO_X)は価数によって多彩な物性を示し、特に VO₂ や V₂O₃は金属-絶縁体転移を起こすので、抵抗変化素子の材料として注目されている。しかしVが様々な価数を持ち得るためVO_Xの制御は容易ではなかった。本研究では、主に酸素流量をパラメータとした反応性スパッタ法により、Al₂O₃基板(0001)上にVO_X薄膜の作り分けが可能であることを示した。講演では、投入電力をパラメータとした時の詳細についても述べる。