[20a-P02-1~25] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-P02-8] 反応性スパッタ法によるバナジウム酸化物薄膜の成長

〇阿部 友樹¹、柳原 英人¹ (1.筑波大数理)

キーワード：

バナジウム酸化物,薄膜,スパッタリング

バナジウム酸化物(VO_X)は価数によって多彩な物性を示し、特に VO₂ や V₂O₃は金属-絶縁体転移を起こすので、抵抗変化素子の材料として注目されている。しかしVが様々な価数を持ち得るためVO_Xの制御は容易ではなかった。本研究では、主に酸素流量をパラメータとした反応性スパッタ法により、Al₂O₃基板(0001)上にVO_X薄膜の作り分けが可能であることを示した。講演では、投入電力をパラメータとした時の詳細についても述べる。