[20p-D901-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20p-D901-1] Mechanism of high passivation quality of Cat-CVD i-a-Si obtained by Bayesian optimization

〇Ryota Ohshi¹, Thi Cam Tu Huynh¹, Koichi Higashimine¹, Kentaro Kutsukake², Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.RIKEN)

Keywords:

Catalytic chemical vapor deposition,Bayesian optimization,Passivation

ベイズ最適化を用いて良好なパッシベーション性能を持つCat-CVDノンドープ非晶質Si(i-a-Si)の製膜条件を得る検討を行い，高い実効少数キャリア寿命が得られる条件を見つけた。最適条件を含む作製条件で堆積したi-a-Siの膜特性を多角的に評価し，高パッシベーション性能発現の要因を調査した。その結果，SiH₄流量増大によりエピタキシャル成長が抑制されることを見出した。a-Si堆積に寄与するラジカルSi­₂H₂の割合が増加したためと考えられる。