講演情報
[20p-D901-1]ベイズ最適化により得られたCat-CVD i-a-Siの高パッシベーション性能発現のメカニズム
〇大橋 亮太1、Huynh Thi Cam Tu1、東嶺 孝一1、沓掛 健太朗2、大平 圭介1 (1.北陸先端大、2.理研)
キーワード：
触媒化学気相堆積法,ベイズ最適化,パッシベーション
ベイズ最適化を用いて良好なパッシベーション性能を持つCat-CVDノンドープ非晶質Si(i-a-Si)の製膜条件を得る検討を行い，高い実効少数キャリア寿命が得られる条件を見つけた。最適条件を含む作製条件で堆積したi-a-Siの膜特性を多角的に評価し，高パッシベーション性能発現の要因を調査した。その結果，SiH4流量増大によりエピタキシャル成長が抑制されることを見出した。a-Si堆積に寄与するラジカルSi2H2の割合が増加したためと考えられる。