[20p-P01-1~28] 2 Ionizing Radiation (Poster)

[20p-P01-3] Fabrication of high sensitivity MA₃Bi₂I₉ films using PAN–added precursor solution

〇Yuui Nakano¹, Takumi Ikenoue¹, Masao Miyake¹, Tetsuji Hirato¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

perovskite,X-ray detector

MA₃Bi₂I₉ は、高い X 線吸収係数と優れた電荷移動特性を有することから、次世代の X 線撮像素子の検出母材に適した材料として注目されている。当研究室ではこれまでにミストデポジション法を用いて MA₃Bi₂I₉ の厚膜 (110 µm) の作製や 300 cm² の大面積膜の作製を達成している。また、PEAI 添加による膜の高抵抗化により単結晶に匹敵する比抵抗を達成した。今回、我々は PAN (polyacrylonitrile) を前駆体溶液に混合することで欠陥のパッシベーション効果による高感度化を目指した。