Presentation Information
[20p-P07-15]EDX Analysis of black Ge nanostructure sidewall fabricated by Deep-RIE
Mie Tohnishi1, 〇Akihiro Matsutani1, Sachiko Matsushita2,3 (1.Tokyo Tech, OFC, 2.Tokyo Tech, Mat. Sci. & Eng., 3.elleThermo)
Keywords:
Ge,etching,EDX
半導体増感型熱利用発電（STC）では、Ge電極表面を微細構造化し表面積を増加させることによって、化学反応の促進や熱赤外線吸収率を高め、デバイス性能の向上が期待される。これまでブラックGeは、SF6/C4F8系、Cl2系、SF6/CHF3系ガス等を用いて製作された例がある。これらはGe表面を無数の針状の微細構造で覆ったものであるが、その微細構造の側壁の化学組成を分析した報告はない。ここでは、SF6/C4F8系ガスを用いたDeep-RIEによりブラックGeを作製し、微細構造の側壁の組成をEDX分析したので報告する。