[20p-P07-1~49] 1 応用物理学一般（ポスター）

[20p-P07-15] Deep-RIEにより作製したブラックGe微細構造側壁のEDX分析

遠西 美重¹、〇松谷 晃宏¹、松下 祥子^2,3 (1.東工大OFC、2.東工大物質理工、3.elleThermo)

キーワード：

ゲルマニウム,エッチング,EDX分析

半導体増感型熱利用発電（STC）では、Ge電極表面を微細構造化し表面積を増加させることによって、化学反応の促進や熱赤外線吸収率を高め、デバイス性能の向上が期待される。これまでブラックGeは、SF₆/C₄F₈系、Cl₂系、SF₆/CHF₃系ガス等を用いて製作された例がある。これらはGe表面を無数の針状の微細構造で覆ったものであるが、その微細構造の側壁の化学組成を分析した報告はない。ここでは、SF₆/C₄F₈系ガスを用いたDeep-RIEによりブラックGeを作製し、微細構造の側壁の組成をEDX分析したので報告する。