Presentation Information
[20p-P07-16]Comparison to optical emission spectroscopy of Si-Deep-RIE plasma with a grating and a digital camera and EDX analysis of high aspect ratio (HAR) etched sidewalls
〇Akihiro Matsutani1, Mie Tohnishi1 (1.Tokyo Tech, OFC)
Keywords:
etching,Si,HAR
Siの高アスペクト比（HAR）の深いトレンチ構造の形成には，SF6/O2とC4F8プラズマを交互に用いるDeep-RIEプロセスを用いることが多い。これまでに我々はエッチング側面の保護膜の組成についてEDX分析を行い，幅の狭いトレンチの側壁保護膜にはCが多く存在し，Fはほとんど検出されなかいことを報告したが，今回はDeep-RIEプロセス中のプラズマの発光のC4F8流量依存性を調査し，保護膜の組成のEDX分析結果と比較したので報告する。