[20p-P07-1~49] 1 応用物理学一般（ポスター）

[20p-P07-16] デジタルカメラと回折格子によるSiのDeep-RIEプラズマの発光分光測定とEDXによる高アスペクト比（HAR）エッチング側壁の分析の比較

〇松谷 晃宏¹、遠西 美重¹ (1.東工大OFC)

キーワード：

エッチング,シリコン,高アスペクト比

Siの高アスペクト比（HAR）の深いトレンチ構造の形成には，SF₆/O₂とC₄F₈プラズマを交互に用いるDeep-RIEプロセスを用いることが多い。これまでに我々はエッチング側面の保護膜の組成についてEDX分析を行い，幅の狭いトレンチの側壁保護膜にはCが多く存在し，Fはほとんど検出されなかいことを報告したが，今回はDeep-RIEプロセス中のプラズマの発光のC₄F₈流量依存性を調査し，保護膜の組成のEDX分析結果と比較したので報告する。