[21a-A307-1~10] 6.3 Oxide electronics

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21a-A307-6] Finite element analysis of oxygen vacancy behavior in four-terminal TiO_2-x memristive devices

〇(M1)Yuki Koizumi¹, Ryotaro Miyake¹, Yusuke Hayashi¹, Tetsuya Tohei¹, Akira Sakai¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:

Oxide Semiconductor,Memristor,Finite Element Method

4端子平面型メモリスタにおける酸素空孔の2次元的挙動の定量的な解析を目的として、酸素空孔のドリフト・拡散に基づいた有限要素法シミュレーションモデルを構築した。シミュレーション結果を実験結果と比較し、酸素空孔の2次元的な再分布に基づく抵抗変化の支配的な要因について議論した。その結果、酸素空孔のドリフトにおける熱活性効果が実験に見られる抵抗値の閾値的挙動の主要因である可能性が示された。