講演情報
[21a-A307-6]4端子平面型TiO2-xメモリスタにおける酸素空孔挙動の有限要素法解析
〇(M1)小泉 優紀1、三宅 亮太郎1、林 侑介1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工)
キーワード：
酸化物半導体,メモリスタ,有限要素法シミュレーション
4端子平面型メモリスタにおける酸素空孔の2次元的挙動の定量的な解析を目的として、酸素空孔のドリフト・拡散に基づいた有限要素法シミュレーションモデルを構築した。シミュレーション結果を実験結果と比較し、酸素空孔の2次元的な再分布に基づく抵抗変化の支配的な要因について議論した。その結果、酸素空孔のドリフトにおける熱活性効果が実験に見られる抵抗値の閾値的挙動の主要因である可能性が示された。