[21a-P02-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

[21a-P02-5] Piezoelectric Properties of Epitaxial (K,Na)NbO₃-Based Thin Films Grown on Si Substrates

〇Kiyotaka Tanaka¹, Rei Ogawa¹, Jingwei He¹, Sang Hyo Kweon¹, Goon Tan², Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ., 2.Osaka Metro. Univ.)

Keywords:

piezoelectric,(K,Na)NbO3,thin film

我々はスパッタ法でSi基板上にエピタキシャルKNN薄膜を作製し，その圧電定数|e_31,f|は最大で7.7 C/m²を示した。今回は，エピタキシャルKNN薄膜の圧電特性の更なる向上を目指して，KNNの一部をBiFeO₃（以下BFO）で置換したエピタキシャル薄膜をSi基板上に作製し，その誘電・圧電特性について報告する。BFO置換量の増加と共に圧電定数|e_31,f|も増加し，0.971KNN-0.029BFO薄膜で10.1 C/m²まで向上することが分かった。