[21a-P02-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[21a-P02-5] Si基板上エピタキシャル(K,Na)NbO₃系薄膜の圧電特性

〇田中 清高¹、小川 零¹、何 京瑋¹、權 相暁¹、譚 ゴオン²、神野 伊策¹ (1.神戸大工、2.大阪公大)

キーワード：

圧電,(K,Na)NbO3,薄膜

我々はスパッタ法でSi基板上にエピタキシャルKNN薄膜を作製し，その圧電定数|e_31,f|は最大で7.7 C/m²を示した。今回は，エピタキシャルKNN薄膜の圧電特性の更なる向上を目指して，KNNの一部をBiFeO₃（以下BFO）で置換したエピタキシャル薄膜をSi基板上に作製し，その誘電・圧電特性について報告する。BFO置換量の増加と共に圧電定数|e_31,f|も増加し，0.971KNN-0.029BFO薄膜で10.1 C/m²まで向上することが分かった。