Presentation Information
[21a-P06-6]Insulator-dependence of interface properties of p-GaN MOS structures
〇Yining Jiao1, Takahide Nukariya1, Masamichi Akazawa1 (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)
Keywords:
p-GaN
GaN MOS構造は良好な特性を示し、MOSFETに応用すれば、GaN特有の高い絶縁破壊電界、高い電子移動度、高い飽和電子速度を引き出せるので、高効率パワーMOSFETへの応用は有望である。反転型n-チャネルGaN MOSFET実現のためには、絶縁体酸化膜とp-GaNとの界面の制御が必須となるが、n-GaNに比較すると報告例が少ない。本報告においては、異なる絶縁体から構成されるp-GaN MOS構造の界面特性を比較し、共通する特性からp-GaN表面に本質的な特性を抽出することを試みる