Presentation Information
[21a-P06-7]Fabrication of GaN HBTs using a quaternary AlGaInN emitter and a GaInN base
〇Masaya Takimoto1, Akira Mase1, Tomoki Kojima1, Takashi Egawa1, Makoto Miyoshi1 (1.Nagoya Inst. Tech)
Keywords:
semiconductor,HBT,GaN
GaN 系半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）は、取り扱える電力密度が高く低歪みでリニアリティに優れるといった特徴を有することから、次世代の高周波デバイスとして有望視されている。よく知られているように、GaN 系 HBT には上部層に覆われた p 型半導体層を構成部位として備える事、p 型層のための引き出し電極を形成する必要がある事から、アクセプタ元素の活性化や p 型オーミック電極形成に技術課題がある事が指摘されてきた。本研究では、我々が検討を進めてきた四元混晶 AlGaInN エミッタを備える npn 型 GaN-HBT を基盤構造とした上で、p-GaN よりもアクセプタの活性化エネルギーが小さい p-GaInN 層をベース部に採用、さらにオーミック接触抵抗の改善のために p 型電極直下に p + -GaN コンタクト層を形成する事を試みたので報告する。