Presentation Information
[21p-A302-8]Plasma-induced defects ~ impact of O2 plasma irradiation on SiO2/Si interface~
〇Shota Nunomura1, Takayoshi Tsutsumi2, Masaru Hori2 (1.AIST, 2.Naogya Univ.)
Keywords:
O2 plasma,SiO2/Si interface,defects
先端半導体において、酸化膜/シリコン（SiO2/Si）界面における欠陥（格子欠陥、ダングリングボンドや不純物等）は、デバイス特性および信頼性の低下を招く[1]。そのため、界面における欠陥の発生と修復を理解しこれらの欠陥を制御することが重要である。界面欠陥は、通常、デバイス作製時の成膜、加工、アニール等のプロセスにより、意図せず導入されることが知られているが、その詳細は理解されていない。そこで、今回、STI（shallow trench isolation）やコンタクトホールの形成、レジストのアッシングを念頭に、酸素プラズマを熱酸化膜付きシリコンウエハに照射し、その後、アニールを施すことで、SiO2/Si界面の欠陥の発生と修復を調査したので報告する。[1] S. Nunomura, J. Phys. D: Appl. Phys. 56, 363002 (2023).