[21p-A307-1~23] 6.3 Oxide electronics

7:00 PM - 7:15 PM JST(10:00 AM - 10:15 AM UTC)

[21p-A307-23] A study of thermal stress on N-type β-Ga₂O₃ crystals in contact with multilayer electrode film by micro-Raman spectroscopy and spectral analysis

〇Ryoya Kakamu¹, Jun Suda¹ (1.Chukyo Univ.)

Keywords:

Widegap semiconductor,Micro-Raman spectroscopy,Electronic properties

車載用パワーデバイスにおいてβ-Ga₂O₃は、200℃以上の高温動作させる場合があり、電極界面の熱応力変化や電子物性を知る必要がある。本研究では、高温領域の多層電極(Ti/Au)付n型β-Ga₂O₃結晶の電極界面におけるラマンスペクトルより熱応力と高温電子物性を求めた。電極近傍と遠方のn型β-Ga₂O₃結晶の比抵抗を比較すると、電極近傍の方が遠方より大きくなっていくことがわかった。