[21p-A311-1~15] 9.5 New functional materials and new phenomena

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[21p-A311-13] Electrical transport anisotropy of the single crystals InGaO3(ZnO)n

〇Naoki Kase¹, Tadahito Inoue¹, Yuto Uruma¹, Keita Tanaka¹, Yusuke Kawamura¹, Nobuaki Miyakawa¹ (1.Tokyo Univ. of Sci)

Keywords:

transparent oxide semiconductor,Single crystal,Electrical conductivity

我々の研究グルー プでは 9 気圧下における Optical Floating Zone (OFZ)法によって初めて InGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3)の大型単結晶の育成に成功している。単結晶の育成により初めて解決できる問題が異方性に関する物理である。特に電気伝導度の異方性は In, Ga, Zn ブロック層が与える電気伝導への寄与を推測することが可能になるため、IGZO の伝導機構解明に大きな役割を果たすと考えられる。本研究では我々が育成した大型単結晶を用いて、InGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3)の伝導異方性を明らかにすることを目的として研究を行った。