講演情報
[21p-A311-13]InGaO3(ZnO)n の大型単結晶を用いた伝導異方性の検証
〇加瀬 直樹1、井上 禎人1、漆間 由都1、田中 啓太1、河村 優介1、宮川 宣明1 (1.東理大理)
キーワード：
透明酸化物半導体,単結晶,電気伝導度
我々の研究グルー プでは 9 気圧下における Optical Floating Zone (OFZ)法によって初めて InGaO3(ZnO)n (n = 1, 2, 3)の大型単結晶の育成に成功している。単結晶の育成により初めて解決できる問題が異方性に関する物理である。特に電気伝導度の異方性は In, Ga, Zn ブロック層が与える電気伝導への寄与を推測することが可能になるため、IGZO の伝導機構解明に大きな役割を果たすと考えられる。本研究では我々が育成した大型単結晶を用いて、InGaO3(ZnO)n (n = 1, 2, 3)の伝導異方性を明らかにすることを目的として研究を行った。