Presentation Information
[21p-B204-11]Development of Al-LEKID placed on both sides of CaF2 substrate
〇(M2)Tatsuya Kobayashi1,3, Satoru Mima2, Koji Ishidoshiro4, Yuto Kamei3,4, Ryota Ito3,4, Chiko Otani3,4, Tohru Taino1,3 (1.Saitama Univ., 2.NICT, 3.RIKEN, 4.Tohoku Univ.)
Keywords:
kinetic inductance detectors,dark matter,microwave
軽い暗黒物質探索に向け、低エネルギー閾値と低バックグラウンドが実現可能であるKIDの開発を行った。KIDのエネルギーギャップはmeV程度であるため、DMの原子核反跳により生じるフォノンの検出が可能である。本研究では特に、有感面積の拡大が見込める集中定数回路型KID(LEKID)の構造を採用した。基板にCaF2基板を採用し、その基板両面にLEKIDを配置することで、表面で生じるバックグラウンドと基板イベントとの分離識別を目指す。