[21p-D903-1~16] 6.4 Thin films and New materials

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21p-D903-16] Chemical lift off rutile Sn_1-xGe_xO₂ epitaxial thin films

〇Tomohito Obata¹, Hao Chen¹, Yo Nagashima², Daichi Oka¹, Yasushi Hirose¹ (1.Tokyo Metropolitan Univ., 2.Univ. of Tokyo)

Keywords:

epitaxial thin films,freestanding thin films,rutile

ルチル型Sn_1-xGe_xO₂(SGO)はバンドギャップを3.7-4.7 eVの範囲で制御可能な超ワイドギャップ半導体で、紫外光エレクトロニクスデバイスやパワーエレクトロニクスデバイスへの応用が期待されている。このような材料を基板から剥離し、転写できればデバイス構造の自由度が広がり、フレキシブル化などの展開も期待できる。本研究ではVO₂を犠牲層に用いたケミカルリフトオフ法によるSGO薄膜の自立膜化を試みた。